LED相关的2项行业标准、3项国家标准报批公示
认证网 (2019/5/29 11:05:44) 浏览:306 评论:0
工业和信息化部科技司2019年5月20日发布的《电子行业7项行业标准、29项国家标准及2项国家标准修改单报批公示》显示：
《基板式（COB）LED空白详细规范》《芯片级封装（CSP）LED空白详细规范》2项行业标准、《半导体发光二极管光辐射安全 第1部分:要求与等级分类方法》《半导体发光二极管光辐射安全 第2部分:测试方法》《发光二极管模块热特性瞬态测试方法》3项国家标准的制订工作已经完成，目前正处于公示阶段，公示时间：2019年5月20日—2019年6月19日。
标准编号：SJ/T 11733-2019
标准名称：基板式（COB）LED空白详细规范
标准主要内容：
本标准规定了基板式（COB）LED的技术要求，主要内容包括COB LED的一般要求、极限值、光电特性、试验条件和试验方法及检验要求等。
标准编号：SJ/T 11734-2019
标准名称：芯片级封装（CSP）LED空白详细规范
标准主要内容：
本标准规定芯片级封装（CSP）LED的技术要求，主要内容包括COB LED的一般要求、极限值、光电特性、试验条件和试验方法及检验要求等。
计划编号：20100031-T-339
标准名称：半导体发光二极管光辐射安全 第1部分:要求与等级分类方法
标准主要内容：
本标准规定了半导体发光二极管的光辐射安全要求与危险等级分类方法。本标准适用于光辐射波长为近紫外和可见光区域(300～780 nm)的单芯片或多芯片LED。
计划编号：20100032-T-339
标准名称：半导体发光二极管光辐射安全 第2部分:测试方法
标准主要内容：
本标准规定了半导体发光二极管的光辐射安全的测试方法，适用于光辐射波长为近紫外和可见光区域（300～780 nm）的单芯片或多芯片LED。
计划编号：20151774-T-339
标准名称：发光二极管模块热特性瞬态测试方法
标准主要内容：
本标准规定了由单个、多个发光二极管(简称LED)芯片或器件组成的LED模块热特性瞬态测试方法。本标准适用于单个、多个LED芯片或器件封装而成的模块，以及LED芯片或器件和其他微电子器件构成的模块热特性测量。
《基板式（COB）LED空白详细规范》《芯片级封装（CSP）LED空白详细规范》2项行业标准、《半导体发光二极管光辐射安全 第1部分:要求与等级分类方法》《半导体发光二极管光辐射安全 第2部分:测试方法》《发光二极管模块热特性瞬态测试方法》3项国家标准的制订工作已经完成，目前正处于公示阶段，公示时间：2019年5月20日—2019年6月19日。
标准编号：SJ/T 11733-2019
标准名称：基板式（COB）LED空白详细规范
标准主要内容：
本标准规定了基板式（COB）LED的技术要求，主要内容包括COB LED的一般要求、极限值、光电特性、试验条件和试验方法及检验要求等。
标准编号：SJ/T 11734-2019
标准名称：芯片级封装（CSP）LED空白详细规范
标准主要内容：
本标准规定芯片级封装（CSP）LED的技术要求，主要内容包括COB LED的一般要求、极限值、光电特性、试验条件和试验方法及检验要求等。
计划编号：20100031-T-339
标准名称：半导体发光二极管光辐射安全 第1部分:要求与等级分类方法
标准主要内容：
本标准规定了半导体发光二极管的光辐射安全要求与危险等级分类方法。本标准适用于光辐射波长为近紫外和可见光区域(300～780 nm)的单芯片或多芯片LED。
计划编号：20100032-T-339
标准名称：半导体发光二极管光辐射安全 第2部分:测试方法
标准主要内容：
本标准规定了半导体发光二极管的光辐射安全的测试方法，适用于光辐射波长为近紫外和可见光区域（300～780 nm）的单芯片或多芯片LED。
计划编号：20151774-T-339
标准名称：发光二极管模块热特性瞬态测试方法
标准主要内容：
本标准规定了由单个、多个发光二极管(简称LED)芯片或器件组成的LED模块热特性瞬态测试方法。本标准适用于单个、多个LED芯片或器件封装而成的模块，以及LED芯片或器件和其他微电子器件构成的模块热特性测量。
检测认证热线：18768485300 & QQ在线服务:
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